SS14肖特基二極管結構

　　圖13-3顯示了SS14肖特基二極管結構的內(nèi)部結構。SS14肖特基二極管結構具有較低的串聯(lián)電阻和較強的非線性，適用于射頻電路。

　　在一些金屬和N型半導體材料接觸后，電子將從N型半導體物質(zhì)擴散到金屬中，從而在半導體材料中形成耗盡層，該耗盡層具有類似于常規(guī)PN結的特性。這種由金屬和半導體材料接觸形成的類似于PN結勢壘的結構稱為肖特基結。

　　當施加正和正偏置電壓(陽極金屬連接到電源的正極，N型襯底連接到電源負極)時，肖特基勢壘層變窄，內(nèi)部電阻降低。如果在肖特基勢壘的兩端施加反向偏置電壓，則肖特基勢壘層變寬，其內(nèi)部電阻變大。

　　SS14、SS24和SS34之間的唯一區(qū)別是最大正向整流電流，SS14為1A，SS24為2A，SS34為3A。

　　這三種肖特基二極管的具體參數(shù)如下：

　　SS14肖特基二極管：最大反向峰值電壓VRRM=40V，最大正向整流電流I(AV)=1A，最大正向壓降VF=0.5V，最大反向泄漏電流IR=20mA。

　　SS24肖特基二極管：最大反向峰值電壓VRRM=40V，最大正向整流電流I(AV)=2A，最大正向壓降VF=0.5V，最大反向泄漏電流IR=20mA。

　　SS34肖特基二極管：最大反向峰值電壓VRRM=40V，最大正向整流電流I(AV)=3A，最大正向壓降VF=0.5V，最大反向泄漏電流IR=20mA。

　　SS14、SS24和SS34是肖特基二極管，具有單一導電性的器件。但其最突出的特點是反向恢復時間很短，因此多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續(xù)流二極管和保護二極管。